NP16N06YLL-E1-AY

Renesas Electronics America Inc

NP16N06YLL-E1-AY

데이터시트

아날로그 및 전원

ABU / MOSFET

생산 중8-PowerLDFN아날로그 및 전원

제품 속성

가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.

일반

Rds On (Max) @ Id, Vgs35mOhm @ 8A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds600 pF @ 25 V
제조사Renesas Electronics America Inc
실장 방식Surface Mount
Product StatusActive
기술MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2V @ 1mA

전기적 특성

드레인-소스 전압60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C16A (Tc)
최대 전력 손실1.25W (Ta), 27.3W (Tc)

기계적 특성

패키지Tape & Reel (TR)
Package / Case8-PowerLDFN
공급사 디바이스 패키지8-HSON (5x5.4)

환경 조건

동작 온도175°C