HAT2279N-EL-E

Renesas Electronics America Inc

HAT2279N-EL-E

아날로그 및 전원

MOSFET N-CH 80V 30A 8LFPAK

구형8-PowerSOIC (0.154", 3.90mm Width)아날로그 및 전원

제품 속성

가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.

일반

Rds On (Max) @ Id, Vgs12.3mOhm @ 15A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds3520 pF @ 10 V
제조사Renesas Electronics America Inc
실장 방식Surface Mount
Product StatusObsolete
기술MOSFET (Metal Oxide)

전기적 특성

드레인-소스 전압80 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C30A (Ta)
최대 전력 손실25W (Tc)

기계적 특성

패키지Bulk
Package / Case8-PowerSOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급사 디바이스 패키지8-LFPAK-iV

환경 조건

동작 온도150°C(TJ)