HAT2201WP-EL-E

Renesas Electronics America Inc

HAT2201WP-EL-E

아날로그 및 전원

15A, 100V, N-CHANNEL MOSFET

생산 중8-PowerWDFN아날로그 및 전원

제품 속성

가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.

일반

Rds On (Max) @ Id, Vgs43mOhm @ 7.5A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1450 pF @ 10 V
제조사Renesas Electronics America Inc
실장 방식Surface Mount
Product StatusActive
기술MOSFET (Metal Oxide)

전기적 특성

드레인-소스 전압100 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C15A (Ta)

기계적 특성

패키지Bulk
Package / Case8-PowerWDFN
공급사 디바이스 패키지8-WPAK

환경 조건

동작 온도150°C(TJ)