H7N1002LS-E

Name: H7N1002LS-E
Brand: Renesas Electronics America Inc

아날로그 및 전원

MOSFET N-CH 100V 75A 4LDPAK

생산 중SC-83아날로그 및 전원

가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.

Rds On (Max) @ Id, Vgs	10mOhm @ 37.5A, 10V
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	155 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	9700 pF @ 10 V
제조사	Renesas Electronics America Inc
실장 방식	Surface Mount
Product Status	Active
기술	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)	±20V

드레인-소스 전압	100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	75A (Ta)
최대 전력 손실	100W (Tc)

동작 온도	150°C(TJ)