2SJ358-T1-AZ

Renesas

2SJ358-T1-AZ

아날로그 및 전원

2SJ358-T1-AZ - P-CHANNEL MOS FET

구형TO-243AA아날로그 및 전원

제품 속성

가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.

일반

Rds On (Max) @ Id, Vgs300mOhm @ 1.5A, 10V
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs23.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds600 pF @ 10 V
제조사Renesas
실장 방식Surface Mount
Product StatusObsolete
기술MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)+10V, -20V
Vgs(th) (Max) @ Id2V @ 1mA

전기적 특성

드레인-소스 전압60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C3A (Ta)
최대 전력 손실2W (Ta)

기계적 특성

패키지Bulk
Package / CaseTO-243AA
공급사 디바이스 패키지MP-2

환경 조건

동작 온도150°C