일반
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 158mOhm @ 10A, 15V |
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| FET Type | N-Channel |
| 제조사 | PN Junction Semiconductor |
| 실장 방식 | Through Hole |
| Product Status | Active |
| 시리즈 | P3M |
| 기술 | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Vgs (Max) | +20V, -8V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.2V @ 5mA (Typ) |
제품 속성
가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.
전기적 특성
| 드레인-소스 전압 | 650 V |
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| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 15V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 29A |
| 최대 전력 손실 | 153W |
기계적 특성
| 패키지 | Tube |
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| Package / Case | TO-220-2 |
| 공급사 디바이스 패키지 | TO-220-2L |
환경 조건
| 동작 온도 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
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