P3M06060G7

PN Junction Semiconductor

P3M06060G7

아날로그 및 전원

SICFET N-CH 650V 44A TO-263-7

생산 중TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA아날로그 및 전원

제품 속성

가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.

일반

Rds On (Max) @ Id, Vgs79mOhm @ 20A, 15V
FET TypeN-Channel
제조사PN Junction Semiconductor
실장 방식Surface Mount
Product StatusActive
시리즈P3M
기술SiCFET (Silicon Carbide)
Vgs (Max)+20V, -8V
Vgs(th) (Max) @ Id2.2V @ 20mA (Typ)

전기적 특성

드레인-소스 전압650 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C44A
최대 전력 손실159W

기계적 특성

패키지Tape & Reel (TR)
Package / CaseTO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
공급사 디바이스 패키지D2PAK-7

환경 조건

동작 온도-55°C~175°C(TJ)