일반
| FET Type | N-Channel |
|---|---|
| 제조사 | PN Junction Semiconductor |
| 실장 방식 | Surface Mount |
| Product Status | Active |
| 기술 | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Vgs (Max) | +10V, -20V |
제품 속성
가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.
전기적 특성
| 드레인-소스 전압 | 650 V |
|---|---|
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 10A |
| 최대 전력 손실 | 55.5W |
기계적 특성
| 패키지 | Tape & Reel (TR) |
|---|---|
| 공급사 디바이스 패키지 | DFN8*8 |
환경 조건
| 동작 온도 | -55°C~150°C(TJ) |
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