일반
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.9Ohm @ 1A, 10V |
|---|---|
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 8.7 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 175 pF @ 30 V |
| 제조사 | onsemi |
| 실장 방식 | Through Hole |
| Product Status | Obsolete |
| 기술 | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |

가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.9Ohm @ 1A, 10V |
|---|---|
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 8.7 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 175 pF @ 30 V |
| 제조사 | onsemi |
| 실장 방식 | Through Hole |
| Product Status | Obsolete |
| 기술 | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| 드레인-소스 전압 | 500 V |
|---|---|
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4V, 10V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2A (Ta) |
| 최대 전력 손실 | 1W (Ta), 20W (Tc) |
| 패키지 | Bulk |
|---|---|
| Package / Case | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| 공급사 디바이스 패키지 | IPAK/TP |
| 동작 온도 | 150°C (TJ) |
|---|