NVTFWS8D1N08HTAG

onsemi

NVTFWS8D1N08HTAG

데이터시트

아날로그 및 전원

80V T8 IN U8FL HEFET PACK

생산 중8-PowerWDFN아날로그 및 전원

제품 속성

가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.

일반

Rds On (Max) @ Id, Vgs8.3mOhm @ 16A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1450 pF @ 40 V
제조사onsemi
실장 방식Surface Mount
Product StatusActive
시리즈Automotive, AEC-Q101
기술MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 270µA

전기적 특성

드레인-소스 전압80 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)6V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C14A (Ta), 61A (Tc)
최대 전력 손실3.8W (Ta), 75W (Tc)

기계적 특성

패키지Tape & Reel (TR)
Package / Case8-PowerWDFN
공급사 디바이스 패키지8-WDFNW (3.3x3.3)

환경 조건

동작 온도-55°C~175°C(TJ)