NVTFS5116PLTAG

onsemi

NVTFS5116PLTAG

데이터시트

아날로그 및 전원

MOSFET P-CH 60V 6A 8WDFN

생산 중8-PowerWDFN아날로그 및 전원

제품 속성

가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.

일반

Rds On (Max) @ Id, Vgs52mOhm @ 7A, 10V
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1258 pF @ 25 V
제조사onsemi
실장 방식Surface Mount
Product StatusActive
시리즈Automotive, AEC-Q101
기술MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id3V @ 250µA

전기적 특성

드레인-소스 전압60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C6A (Ta)
최대 전력 손실3.2W (Ta), 21W (Tc)

기계적 특성

패키지Tape & Reel (TR)
Package / Case8-PowerWDFN
공급사 디바이스 패키지8-WDFN (3.3x3.3)

환경 조건

동작 온도-55°C~175°C(TJ)