NVMTS1D5N08H

onsemi

NVMTS1D5N08H

아날로그 및 전원

MOSFET N-CH 80V 38A/273A 8DFNW

생산 중8-PowerTDFN아날로그 및 전원

제품 속성

가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.

일반

Rds On (Max) @ Id, Vgs1.4mOhm @ 90A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs125 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds8220 pF @ 40 V
제조사onsemi
실장 방식Surface Mount
Product StatusActive
시리즈Automotive, AEC-Q101
기술MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 490µA

전기적 특성

드레인-소스 전압80 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C38A (Ta), 273A (Tc)
최대 전력 손실5W (Ta), 258W (Tc)

기계적 특성

패키지Tape & Reel (TR)
Package / Case8-PowerTDFN
공급사 디바이스 패키지8-DFNW (8.3x8.4)

환경 조건

동작 온도-55°C~175°C(TJ)