NVMFD5C650NLT1G

onsemi

NVMFD5C650NLT1G

데이터시트

아날로그 및 전원

MOSFET 2N-CH 60V 21A/111A 8DFN

생산 중8-PowerTDFN아날로그 및 전원

제품 속성

가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.

일반

Rds On (Max) @ Id, Vgs4.2mOhm @ 20A, 10V
구성2 N-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs16nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds2546pF @ 25V
제조사onsemi
실장 방식Surface Mount
Product StatusActive
기술MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id2.2V @ 98µA

전기적 특성

드레인-소스 전압60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C21A (Ta), 111A (Tc)
Power - Max3.5W (Ta), 125W (Tc)

기계적 특성

패키지Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case8-PowerTDFN
공급사 디바이스 패키지8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)

환경 조건

GradeAutomotive
동작 온도-55°C ~ 175°C (TJ)
QualificationAEC-Q101