NVH4L040N120M3S

Name: NVH4L040N120M3S
Brand: onsemi

아날로그 및 전원

SIC MOS TO247-4L 40MOHM 1200V M3

생산 중TO-247-4아날로그 및 전원

가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.

Rds On (Max) @ Id, Vgs	54mOhm @ 20A, 18V
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	75 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1700 pF @ 800 V
제조사	onsemi
실장 방식	Through Hole
포장	Tube
제품 상태	생산 중
기술	SiCFET (Silicon Carbide)
Vgs (Max)	+18V, -3V
Vgs(th) (Max) @ Id	4.4V @ 10mA

드레인-소스 전압	1200 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	54A (Tc)
최대 전력 손실	231W (Tc)