가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 105mOhm @ 12A, 18V |
|---|---|
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 50 nC @ 18 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 956 pF @ 325 V |
| 제조사 | onsemi |
| 실장 방식 | Surface Mount |
| Product Status | Active |
| 기술 | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.3V @ 4mA |
| 드레인-소스 전압 | 650 V |
|---|---|
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 15V, 18V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 30A (Tc) |
| 최대 전력 손실 | 110W (Tc) |
| 패키지 | Tape & Reel (TR) |
|---|---|
| 공급사 디바이스 패키지 | D2PAK-7 |
| Grade | Automotive |
|---|---|
| 동작 온도 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Qualification | AEC-Q101 |