NTZD5110NT1G

onsemi

NTZD5110NT1G

데이터시트

아날로그 및 전원

MOSFET 2N-CH 60V 0.294A SOT563

생산 중SOT-563, SOT-666아날로그 및 전원

제품 속성

가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.

일반

Rds On (Max) @ Id, Vgs1.6Ohm @ 500mA, 10V
기본 품번NTZD5110
구성2 N-Channel (Dual)
FET FeatureLogic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs0.7nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds24.5pF @ 20V
제조사onsemi
실장 방식Surface Mount
Product StatusActive
기술MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA

전기적 특성

드레인-소스 전압60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C294mA
Power - Max250mW

기계적 특성

패키지Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / CaseSOT-563, SOT-666
공급사 디바이스 패키지SOT-563

환경 조건

동작 온도-55°C ~ 150°C (TJ)