NTTFS5D9N08HTWG

onsemi

NTTFS5D9N08HTWG

데이터시트

아날로그 및 전원

MOSFET N-CH 80V 13A/84A 8PQFN

생산 중8-PowerWDFN아날로그 및 전원

제품 속성

가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.

일반

Rds On (Max) @ Id, Vgs5.9mOhm @ 23A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds2040 pF @ 40 V
제조사onsemi
실장 방식Surface Mount
포장Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
제품 상태생산 중
기술MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 120µA

전기적 특성

드레인-소스 전압80 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)6V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C13A (Ta), 84A (Tc)
최대 전력 손실2.7W (Ta), 100W (Tc)

기계적 특성

Package / Case8-PowerWDFN
공급사 디바이스 패키지8-PQFN (3.3x3.3)

환경 조건

동작 온도-55°C ~ 175°C (TJ)