NTTFS015P03P8ZTAG

onsemi

NTTFS015P03P8ZTAG

데이터시트

아날로그 및 전원

MOSFET P-CH 30V 13.4A/47.6A 8DFN

생산 중8-PowerWDFN아날로그 및 전원

제품 속성

가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.

일반

Rds On (Max) @ Id, Vgs9.3mOhm @ 12A, 10V
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs62.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds2706 pF @ 15 V
제조사onsemi
실장 방식Surface Mount
Product StatusActive
기술MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±25V
Vgs(th) (Max) @ Id3V @ 250µA

전기적 특성

드레인-소스 전압30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C13.4A (Ta), 47.6A (Tc)
최대 전력 손실2.66W (Ta), 33.8W (Tc)

기계적 특성

패키지Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case8-PowerWDFN
공급사 디바이스 패키지8-WDFN (3.3x3.3)

환경 조건

동작 온도-55°C ~ 150°C (TJ)