NTTFD022N10C

onsemi

NTTFD022N10C

데이터시트

아날로그 및 전원

MOSFET 2N-CH 100V 6A/24A 12WQFN

생산 중12-PowerWQFN아날로그 및 전원

제품 속성

가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.

일반

Rds On (Max) @ Id, Vgs25mOhm @ 7.8A, 10V
기본 품번NTTFD022
구성2 N-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs9nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds585pF @ 50V
제조사onsemi
실장 방식Surface Mount
Product StatusActive
기술MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 44µA

전기적 특성

드레인-소스 전압100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C6A (Ta), 24A (Tc)
Power - Max1.7W (Ta), 26W (Tc)

기계적 특성

패키지Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case12-PowerWQFN
공급사 디바이스 패키지12-WQFN (3.3x3.3)

환경 조건

동작 온도-55°C ~ 150°C (TJ)