NTMTSC1D6N10MCTXG

onsemi

NTMTSC1D6N10MCTXG

데이터시트

아날로그 및 전원

MOSFET N-CH 100V 35A/267A 8TDFNW

생산 중8-PowerTDFN아날로그 및 전원

제품 속성

가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.

일반

Rds On (Max) @ Id, Vgs1.7mOhm @ 90A, 10V
기본 품번NTMTSC1
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs106 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds7630 pF @ 50 V
제조사onsemi
실장 방식Surface Mount, Wettable Flank
Product StatusActive
기술MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 650µA

전기적 특성

드레인-소스 전압100 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C35A (Ta), 267A (Tc)
최대 전력 손실5.1W (Ta), 291W (Tc)

기계적 특성

패키지Tape & Reel (TR)
Package / Case8-PowerTDFN
공급사 디바이스 패키지8-TDFNW (8.3x8.4)

환경 조건

동작 온도-55°C~175°C(TJ)