NTMT045N065SC1

Name: NTMT045N065SC1
Brand: onsemi

아날로그 및 전원

SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - 3

생산 중4-PowerTSFN아날로그 및 전원

가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.

Rds On (Max) @ Id, Vgs	50mOhm @ 25A, 18V
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	105 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1870 pF @ 325 V
제조사	onsemi
실장 방식	Surface Mount
Product Status	Active
기술	SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Vgs (Max)	+22V, -8V
Vgs(th) (Max) @ Id	4.3V @ 8mA

드레인-소스 전압	650 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	15V, 18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	55A (Tc)
최대 전력 손실	187W (Tc)

동작 온도	-55°C~175°C(TJ)