NTMS4101PR2

onsemi

NTMS4101PR2

아날로그 및 전원

MOSFET P-CH 20V 6.9A 8SOIC

구형8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)아날로그 및 전원

제품 속성

가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.

일반

Rds On (Max) @ Id, Vgs19mOhm @ 6.9A, 4.5V
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs32 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds3200 pF @ 10 V
제조사onsemi
실장 방식Surface Mount
Product StatusObsolete
기술MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±8V
Vgs(th) (Max) @ Id450mV @ 250µA (Min)

전기적 특성

드레인-소스 전압20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)2.5V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C6.9A (Ta)
최대 전력 손실1.38W (Tj)

기계적 특성

패키지Tape & Reel (TR)
Package / Case8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급사 디바이스 패키지8-SOIC

환경 조건

동작 온도-55°C ~ 150°C (TJ)