NTMJS0D9N03CGTWG

onsemi

NTMJS0D9N03CGTWG

아날로그 및 전원

MOSFET N-CH 30V LFPAK8

구형SOT-1205, 8-LFPAK56아날로그 및 전원

제품 속성

가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.

일반

Rds On (Max) @ Id, Vgs0.9mOhm @ 20A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs131.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds9550 pF @ 15 V
제조사onsemi
실장 방식Surface Mount
Product StatusObsolete
기술MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2.2V @ 200µA

전기적 특성

드레인-소스 전압30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C50A (Ta), 315A (Tc)
최대 전력 손실3.9W (Ta), 150W (Tc)

기계적 특성

패키지Tape & Reel (TR)
Package / CaseSOT-1205, 8-LFPAK56
공급사 디바이스 패키지8-LFPAK

환경 조건

동작 온도-55°C~175°C(TJ)