일반
| FET Type | N-Channel |
|---|---|
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 91 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 6660 pF @ 25 V |
| 제조사 | onsemi |
| 실장 방식 | Surface Mount |
| Product Status | Active |
| 기술 | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |

가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.
| FET Type | N-Channel |
|---|---|
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 91 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 6660 pF @ 25 V |
| 제조사 | onsemi |
| 실장 방식 | Surface Mount |
| Product Status | Active |
| 기술 | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
| 드레인-소스 전압 | 60 V |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 36A (Ta), 235A (Tc) |
| 최대 전력 손실 | 3.8W (Ta), 166W (Tc) |
| 패키지 | Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) |
|---|---|
| Package / Case | 8-PowerVDFN |
| 공급사 디바이스 패키지 | 8-DFN (5x6.15) |
| 동작 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
|---|