NTMFS0D9N03CGT1G

onsemi

NTMFS0D9N03CGT1G

데이터시트

아날로그 및 전원

MOSFET N-CH 30V 48A/298A 5DFN

생산 중8-PowerTDFN, 5 Leads아날로그 및 전원

제품 속성

가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.

일반

Rds On (Max) @ Id, Vgs0.9mOhm @ 20A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs131.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds9450 pF @ 15 V
제조사onsemi
실장 방식Surface Mount
Product StatusActive
기술MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2.2V @ 200µA

전기적 특성

드레인-소스 전압30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C48A (Ta), 298A (Tc)
최대 전력 손실3.8W (Ta), 144W (Tc)

기계적 특성

패키지Tape & Reel (TR)
Package / Case8-PowerTDFN, 5 Leads
공급사 디바이스 패키지5-DFN (5x6) (8-SOFL)

환경 조건

동작 온도-55°C~175°C(TJ)