NTMFS0D8N02P1ET1G

onsemi

NTMFS0D8N02P1ET1G

데이터시트

아날로그 및 전원

MOSFET N-CH 25V 55A/365A 5DFN

생산 중8-PowerTDFN, 5 Leads아날로그 및 전원

제품 속성

가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.

일반

Rds On (Max) @ Id, Vgs0.68mOhm @ 46A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs52 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds8600 pF @ 13 V
제조사onsemi
실장 방식Surface Mount
Product StatusActive
기술MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)+16V, -12V
Vgs(th) (Max) @ Id2V @ 2mA

전기적 특성

드레인-소스 전압25 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C55A (Ta), 365A (Tc)
최대 전력 손실3.2W (Ta), 139W (Tc)

기계적 특성

패키지Tape & Reel (TR)
Package / Case8-PowerTDFN, 5 Leads
공급사 디바이스 패키지5-DFN (5x6) (8-SOFL)

환경 조건

동작 온도-55°C~150°C(TJ)