NTMFD0D9N02P1E

onsemi

NTMFD0D9N02P1E

아날로그 및 전원

MOSFET 2N-CH 30V/25V 14A 8PQFN

생산 중8-PowerWDFN아날로그 및 전원

제품 속성

가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.

일반

Rds On (Max) @ Id, Vgs3mOhm @ 20A, 10V, 720µOhm @ 41A, 10V
기본 품번NTMFD0D9
구성2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs9nC @ 4.5V, 30nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1400pF @ 15V, 5050pF @ 13V
제조사onsemi
실장 방식Surface Mount
Product StatusActive
기술MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id2V @ 340µA, 2V @ 1mA

전기적 특성

드레인-소스 전압30V, 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C14A (Ta), 30A (Ta)
Power - Max960mW (Ta), 1.04W (Ta)

기계적 특성

패키지Tape & Reel (TR)
Package / Case8-PowerWDFN
공급사 디바이스 패키지8-PQFN (5x6)

환경 조건

동작 온도-55°C ~ 150°C (TJ)