NTLJS3D9N03CTAG

onsemi

NTLJS3D9N03CTAG

데이터시트

아날로그 및 전원

MOSFET N-CH 30V 10.3A 6PQFN

구형6-PowerWDFN아날로그 및 전원

제품 속성

가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.

일반

Rds On (Max) @ Id, Vgs4.9mOhm @ 10A, 4.5V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs14.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1565 pF @ 15 V
제조사onsemi
실장 방식Surface Mount
Product StatusObsolete
기술MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±12V
Vgs(th) (Max) @ Id1.1V @ 250µA

전기적 특성

드레인-소스 전압30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)1.8V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C10.3A (Ta)
최대 전력 손실860mW (Ta)

기계적 특성

패키지Tape & Reel (TR)
Package / Case6-PowerWDFN
공급사 디바이스 패키지6-PQFN (2x2)

환경 조건

동작 온도-55°C~150°C(TJ)