NTLJS1102PTAG

onsemi

NTLJS1102PTAG

데이터시트

아날로그 및 전원

MOSFET P-CH 8V 3.7A 6WDFN

구형6-WDFN Exposed Pad아날로그 및 전원

제품 속성

가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.

일반

Rds On (Max) @ Id, Vgs36mOhm @ 6.2A, 4.5V
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs25 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1585 pF @ 4 V
제조사onsemi
실장 방식Surface Mount
Product StatusObsolete
시리즈µCool™
기술MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±6V
Vgs(th) (Max) @ Id720mV @ 250µA

전기적 특성

드레인-소스 전압8 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)1.2V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C3.7A (Ta)
최대 전력 손실700mW (Ta)

기계적 특성

패키지Tape & Reel (TR)
Package / Case6-WDFN Exposed Pad
공급사 디바이스 패키지6-WDFN (2x2)

환경 조건

동작 온도-55°C ~ 150°C (TJ)