NTLJD4150PTBG

onsemi

NTLJD4150PTBG

데이터시트

아날로그 및 전원

MOSFET 2P-CH 30V 1.8A 6WDFN

구형6-WDFN Exposed Pad아날로그 및 전원

제품 속성

가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.

일반

Rds On (Max) @ Id, Vgs135mOhm @ 4A, 10V
기본 품번NTLJD41
구성2 P-Channel (Dual)
FET FeatureLogic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs4.5nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds300pF @ 15V
제조사onsemi
실장 방식Surface Mount
Product StatusObsolete
기술MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id2V @ 250µA

전기적 특성

드레인-소스 전압30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C1.8A
Power - Max700mW

기계적 특성

패키지Tape & Reel (TR)
Package / Case6-WDFN Exposed Pad
공급사 디바이스 패키지6-WDFN (2x2)

환경 조건

동작 온도-55°C ~ 150°C (TJ)