NTHL015N065SC1

Name: NTHL015N065SC1
Brand: onsemi

아날로그 및 전원

SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - 1

생산 중TO-247-3아날로그 및 전원

가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.

Rds On (Max) @ Id, Vgs	18mOhm @ 75A, 18V
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	283 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	4790 pF @ 325 V
제조사	onsemi
실장 방식	Through Hole
Product Status	Active
기술	SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Vgs (Max)	+22V, -8V
Vgs(th) (Max) @ Id	4.3V @ 25mA

드레인-소스 전압	650 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	15V, 18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	163A (Tc)
최대 전력 손실	643W (Tc)

동작 온도	-55°C~175°C(TJ)