NTHD3102CT1G

onsemi

NTHD3102CT1G

데이터시트

아날로그 및 전원

MOSFET N/P-CH 20V 4A CHIPFET

단종8-SMD, Flat Lead아날로그 및 전원

제품 속성

가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.

일반

Rds On (Max) @ Id, Vgs45mOhm @ 4.4A, 4.5V
기본 품번NTHD3102
구성N and P-Channel
FET FeatureLogic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs7.9nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds510pF @ 10V
제조사onsemi
실장 방식Surface Mount
Product StatusLast Time Buy
기술MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id1.2V @ 250µA

전기적 특성

드레인-소스 전압20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C4A, 3.1A
Power - Max1.1W

기계적 특성

패키지Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case8-SMD, Flat Lead
공급사 디바이스 패키지ChipFET™

환경 조건

동작 온도-55°C ~ 150°C (TJ)