NTH4L028N170M1

Name: NTH4L028N170M1
Brand: onsemi

아날로그 및 전원

SIC MOSFET 1700 V 28 MOHM M1 SER

생산 중TO-247-4아날로그 및 전원

가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.

Rds On (Max) @ Id, Vgs	40mOhm @ 60A, 20V
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	200 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	4230 pF @ 800 V
제조사	onsemi
실장 방식	Through Hole
Product Status	Active
기술	SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Vgs (Max)	+25V, -15V
Vgs(th) (Max) @ Id	4.3V @ 20mA

드레인-소스 전압	1700 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	81A (Tc)
최대 전력 손실	535W (Tc)

동작 온도	-55°C~175°C(TJ)