NTC040N120SC1

onsemi

NTC040N120SC1

데이터시트

아날로그 및 전원

SIC MOS WAFER SALES 40MOHM 1200V

생산 중Die아날로그 및 전원

제품 속성

가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.

일반

Rds On (Max) @ Id, Vgs56mOhm @ 35A, 20V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs106 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1781 pF @ 800 V
제조사onsemi
실장 방식Surface Mount
Product StatusActive
기술SiCFET (Silicon Carbide)
Vgs (Max)+25V, -15V
Vgs(th) (Max) @ Id4.3V @ 10mA

전기적 특성

드레인-소스 전압1200 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C60A (Tc)
최대 전력 손실348W (Tc)

기계적 특성

패키지Tray
Package / CaseDie
공급사 디바이스 패키지Die

환경 조건

동작 온도-55°C~175°C(TJ)