NTBGS2D5N06C

onsemi

NTBGS2D5N06C

데이터시트

아날로그 및 전원

POWER MOSFET, 60 V, 2.5 M?, 224

생산 중아날로그 및 전원

제품 속성

가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.

일반

Rds On (Max) @ Id, Vgs2.5mOhm @ 35A, 12V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs45.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds3510 pF @ 30 V
제조사onsemi
실장 방식Surface Mount
Product StatusActive
기술MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 175µA

전기적 특성

드레인-소스 전압60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V, 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C27A (Ta), 169A (Tc)
최대 전력 손실3.7W (Ta), 136W (Tc)

기계적 특성

패키지Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
공급사 디바이스 패키지TO-263 (D2PAK)

환경 조건

동작 온도-55°C ~ 175°C (TJ)