NTBG080N120SC1

Name: NTBG080N120SC1
Brand: onsemi

아날로그 및 전원

SICFET N-CH 1200V 30A D2PAK-7

생산 중TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA아날로그 및 전원

가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.

Rds On (Max) @ Id, Vgs	110mOhm @ 20A, 20V
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	56 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1154 pF @ 800 V
제조사	onsemi
실장 방식	Surface Mount
Product Status	Active
기술	SiCFET (Silicon Carbide)
Vgs (Max)	+25, -15V
Vgs(th) (Max) @ Id	4.3V @ 5mA

드레인-소스 전압	1200 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	30A (Tc)
최대 전력 손실	179W (Tc)

동작 온도	-55°C~175°C(TJ)