가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 28mOhm @ 60A, 20V |
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| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 220 nC @ 20 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2943 pF @ 800 V |
| 제조사 | onsemi |
| 실장 방식 | Surface Mount |
| Product Status | Active |
| 기술 | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Vgs (Max) | +25V, -15V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.3V @ 20mA |
| 드레인-소스 전압 | 1200 V |
|---|---|
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 20V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 8.6A (Ta), 98A (Tc) |
| 최대 전력 손실 | 3.7W (Ta), 468W (Tc) |
| 패키지 | Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) |
|---|---|
| Package / Case | TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA |
| 공급사 디바이스 패키지 | D2PAK-7 |
| 동작 온도 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
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