NTBG020N090SC1

onsemi

NTBG020N090SC1

데이터시트

아날로그 및 전원

SICFET N-CH 900V 9.8A/112A D2PAK

생산 중TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA아날로그 및 전원

제품 속성

가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.

일반

Rds On (Max) @ Id, Vgs28mOhm @ 60A, 15V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs200 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds4415 pF @ 450 V
제조사onsemi
실장 방식Surface Mount
Product StatusActive
기술SiCFET (Silicon Carbide)
Vgs (Max)+19V, -10V
Vgs(th) (Max) @ Id4.3V @ 20mA

전기적 특성

드레인-소스 전압900 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C9.8A (Ta), 112A (Tc)
최대 전력 손실3.7W (Ta), 477W (Tc)

기계적 특성

패키지Tape & Reel (TR)
Package / CaseTO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
공급사 디바이스 패키지D2PAK-7

환경 조건

동작 온도-55°C~175°C(TJ)