NTBG014N120M3P

Name: NTBG014N120M3P
Brand: onsemi

아날로그 및 전원

SIC MOSFET 1200 V 14 MOHM M3P SE

생산 중TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA아날로그 및 전원

가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.

Rds On (Max) @ Id, Vgs	20mOhm @ 74A, 18V
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	337 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	6313 pF @ 800 V
제조사	onsemi
실장 방식	Surface Mount
Product Status	Active
기술	SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Vgs (Max)	+22V, -10V
Vgs(th) (Max) @ Id	4.63V @ 37mA

드레인-소스 전압	1200 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	15V, 18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	104A (Tc)
최대 전력 손실	454W (Tc)

동작 온도	-55°C~175°C(TJ)