NTB5605PG

onsemi

NTB5605PG

데이터시트

아날로그 및 전원

MOSFET P-CH 60V 18.5A D2PAK

구형TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB아날로그 및 전원

제품 속성

가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.

일반

Rds On (Max) @ Id, Vgs140mOhm @ 8.5A, 5V
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs22 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1190 pF @ 25 V
제조사onsemi
실장 방식Surface Mount
Product StatusObsolete
기술MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2V @ 250µA

전기적 특성

드레인-소스 전압60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C18.5A (Ta)
최대 전력 손실88W (Tc)

기계적 특성

패키지Tube
Package / CaseTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
공급사 디바이스 패키지D²PAK

환경 조건

동작 온도-55°C~175°C(TJ)