NDT456P

onsemi

NDT456P

아날로그 및 전원

P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD

생산 중TO-261-4, TO-261AA아날로그 및 전원

제품 속성

가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.

일반

Rds On (Max) @ Id, Vgs30mOhm @ 7.5A, 10V
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1440 pF @ 15 V
제조사onsemi
실장 방식Surface Mount
Product StatusActive
기술MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id3V @ 250µA

전기적 특성

드레인-소스 전압30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C7.5A (Ta)
최대 전력 손실3W (Ta)

기계적 특성

패키지Bulk
Package / CaseTO-261-4, TO-261AA
공급사 디바이스 패키지SOT-223-4

환경 조건

동작 온도-65°C~150°C(TJ)