NDS9952A

onsemi

NDS9952A

데이터시트

아날로그 및 전원

MOSFET N/P-CH 30V 3.7A 8SOIC

구형8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)아날로그 및 전원

제품 속성

가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.

일반

Rds On (Max) @ Id, Vgs80mOhm @ 1A, 10V
기본 품번NDS995
구성N and P-Channel
FET FeatureLogic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs25nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds320pF @ 10V
제조사onsemi
실장 방식Surface Mount
Product StatusObsolete
기술MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id2.8V @ 250µA

전기적 특성

드레인-소스 전압30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C3.7A, 2.9A
Power - Max900mW

기계적 특성

패키지Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급사 디바이스 패키지8-SOIC

환경 조건

동작 온도-55°C ~ 150°C (TJ)