NDC652P

onsemi

NDC652P

아날로그 및 전원

MOSFET P-CH 30V 2.4A SUPERSOT6

구형SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6아날로그 및 전원

제품 속성

가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.

일반

Rds On (Max) @ Id, Vgs110mOhm @ 3.1A, 10V
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds290 pF @ 15 V
제조사onsemi
실장 방식Surface Mount
Product StatusObsolete
기술MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)-20V
Vgs(th) (Max) @ Id3V @ 250µA

전기적 특성

드레인-소스 전압30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C2.4A (Ta)
최대 전력 손실1.6W (Ta)

기계적 특성

패키지Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / CaseSOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
공급사 디바이스 패키지SuperSOT™-6

환경 조건

동작 온도-55°C ~ 150°C (TJ)