HGTD1N120BNS9A

onsemi

HGTD1N120BNS9A

데이터시트

아날로그 및 전원

IGBT 1200V 5.3A 60W TO252AA

생산 중TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63아날로그 및 전원

제품 속성

가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.

일반

기본 품번HGTD1N120
Gate Charge14 nC
IGBT TypeNPT
입력 유형Standard
제조사onsemi
실장 방식Surface Mount
Product StatusActive
Switching Energy70µJ (on), 90µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C15ns/67ns
Test Condition960V, 1A, 82Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic2.9V @ 15V, 1A

전기적 특성

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)1200 V
Current - Collector (Ic) (Max)5.3 A
Current - Collector Pulsed (Icm)6 A
Power - Max60 W

기계적 특성

패키지Tape & Reel (TR)
Package / CaseTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
공급사 디바이스 패키지TO-252AA

환경 조건

동작 온도-55°C~150°C(TJ)