가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.
| 기본 품번 | HGT1S2N120 |
|---|---|
| Gate Charge | 30 nC |
| IGBT Type | NPT |
| 입력 유형 | Standard |
| 제조사 | onsemi |
| 실장 방식 | Through Hole |
| Product Status | Obsolete |
| Switching Energy | 96µJ (on), 355µJ (off) |
| Td (on/off) @ 25°C | 25ns/205ns |
| Test Condition | 960V, 2.6A, 51Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.4V @ 15V, 2.6A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200 V |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 13 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 20 A |
| Power - Max | 104 W |
| 패키지 | Tube |
|---|---|
| Package / Case | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| 공급사 디바이스 패키지 | TO-262 |
| 동작 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
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