가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.
| 기본 품번 | HGT1S10 |
|---|---|
| Gate Charge | 100 nC |
| IGBT Type | NPT |
| 입력 유형 | Standard |
| 제조사 | onsemi |
| 실장 방식 | Surface Mount |
| Product Status | Last Time Buy |
| Switching Energy | 320µJ (on), 800µJ (off) |
| Td (on/off) @ 25°C | 23ns/165ns |
| Test Condition | 960V, 10A, 10Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.7V @ 15V, 10A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200 V |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 35 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 80 A |
| Power - Max | 298 W |
| 패키지 | Tube |
|---|---|
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| 공급사 디바이스 패키지 | D²PAK (TO-263) |
| 동작 온도 | -55°C~150°C(TJ) |
|---|