일반
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 550mOhm @ 650mA, 10V |
|---|---|
| 기본 품번 | FQS4900 |
| 구성 | N and P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 2.1nC @ 5V |
| 제조사 | onsemi |
| 실장 방식 | Surface Mount |
| Product Status | Obsolete |
| 시리즈 | QFET® |
| 기술 | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.95V @ 20mA |

가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 550mOhm @ 650mA, 10V |
|---|---|
| 기본 품번 | FQS4900 |
| 구성 | N and P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 2.1nC @ 5V |
| 제조사 | onsemi |
| 실장 방식 | Surface Mount |
| Product Status | Obsolete |
| 시리즈 | QFET® |
| 기술 | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.95V @ 20mA |
| 드레인-소스 전압 | 60V, 300V |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1.3A, 300mA |
| Power - Max | 2W |
| 패키지 | Tape & Reel (TR) |
|---|---|
| Package / Case | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| 공급사 디바이스 패키지 | 8-SOIC |
| 동작 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
|---|