FDZ209N

onsemi

FDZ209N

아날로그 및 전원

MOSFET N-CH 60V 4A 12BGA

구형12-WFBGA아날로그 및 전원

제품 속성

가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.

일반

Rds On (Max) @ Id, Vgs80mOhm @ 4A, 5V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs9 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds657 pF @ 30 V
제조사onsemi
실장 방식Surface Mount
Product StatusObsolete
시리즈PowerTrench®
기술MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id3V @ 250µA

전기적 특성

드레인-소스 전압60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C4A (Ta)
최대 전력 손실2W (Ta)

기계적 특성

패키지Tape & Reel (TR)
Package / Case12-WFBGA
공급사 디바이스 패키지12-BGA (2x2.5)

환경 조건

동작 온도-55°C~150°C(TJ)