FDP2D9N12C

onsemi

FDP2D9N12C

데이터시트

아날로그 및 전원

PTNG 120V N-FET TO220

구형TO-220-3아날로그 및 전원

제품 속성

가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.

일반

Rds On (Max) @ Id, Vgs2.9mOhm @ 100A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs109 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds8894 pF @ 60 V
제조사onsemi
실장 방식Through Hole
Product StatusObsolete
시리즈PowerTrench®
기술MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 686µA

전기적 특성

드레인-소스 전압120 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)6V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C18A (Ta), 210A (Tc)
최대 전력 손실2.4W (Ta), 333W (Tc)

기계적 특성

패키지Tube
Package / CaseTO-220-3
공급사 디바이스 패키지TO-220

환경 조건

동작 온도-55°C~175°C(TJ)