FDMS86183

onsemi

FDMS86183

데이터시트

아날로그 및 전원

MOSFET N-CH 100V 51A 8PQFN

생산 중8-PowerTDFN아날로그 및 전원

제품 속성

가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.

일반

Rds On (Max) @ Id, Vgs12.8mOhm @ 16A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs14 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1515 pF @ 50 V
제조사onsemi
실장 방식Surface Mount
Product StatusActive
시리즈PowerTrench®
기술MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 90µA

전기적 특성

드레인-소스 전압100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)6V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C51A (Tc)
최대 전력 손실63W (Tc)

기계적 특성

패키지Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case8-PowerTDFN
공급사 디바이스 패키지8-PQFN (5x6)

환경 조건

동작 온도-55°C ~ 150°C (TJ)